本发明涉及半导体基片技术领域，且公开了一种半导体功率
芯片用金刚石单晶基片，包括以下步骤：1）将
半导体材料加热至4000摄氏度状态，得到熔融半导体基片。该一种半导体功率芯片用金刚石单晶基片，通过在P型披覆层植入磷，N型披覆层植入钡和
锂，并通过N型欧姆电极连接和P型欧姆电极与金刚石薄片连接，形成具有金刚石单晶PIN二极体的基片，植入磷的P型披覆层与植入钡和锂的N型披覆层形成性能相当的可调式电子元件，并且通电产生的反应催生金刚石单晶，由于金刚石单晶这种材料具备超宽能隙，超过
碳化硅与氮化镓，它的超宽能隙可防止在高温下产生热量，即使在非常高的温度和辐射强度下，金刚石单晶仍然保持透明，实现了具有极佳的散热性能，提高了使用寿命和传输效率。
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“半导体功率芯片用金刚石单晶基片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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