本发明涉及一种气相沉积包覆MoSe2的三元
正极材料及其制备方法，旨在提供一种在三元材料表面构建均匀导电包覆层，从而提高材料循环和倍率性能的相沉积包覆MoSe2的三元正极材料及其制备方法；其技术方案依次包括下述步骤：1)将NixCoyMn1‑x‑y(OH)2前驱体与
锂源按照摩尔比1:1.02‑1.06混合均匀后，置于坩埚中，放入管式炉，在氧气氛围下热处理，得到LiNixCoyMn1‑x‑yO2正极材料；2)将MoO3粉末、硒粉与步骤1)制备的LiNixCoyMn1‑x‑yO2混合，然后放入管式炉中，在惰性气体氛围下热处理，热处理结束后冷却至室温，使二硒化钼沉积到三元材料表面，即可形成气相包覆MoSe2的LiNixCoyMn1‑x‑yO2材料；属于锂离子
电池材料领域。
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“气相沉积包覆MoSe2的三元正极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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