本发明属于
复合材料制备技术领域，特别是涉及一种热处理工艺制备碳硅
负极材料的方法。本发明中碳薄膜和硅薄膜在制备的过程中均采用热处理工艺，热处理的温度为100
oC~400
oC。在集流体上制备了硅薄膜和碳薄膜交替堆叠的结构，且碳薄膜先沉积在集流体上，碳薄膜与集流体直接接触，交替堆叠结构的最顶层为碳薄膜。本发明通过工艺简单的磁控溅射沉积技术在集流体上直接溅射生长活性物质碳硅薄膜，省去了传统电极制备过程中粘结剂的使用，以及辊压、涂覆、烘干等步骤，减少了制作工序和成本，此外，热处理工艺一定程度上可以提高电极的储
锂容量，为高能量密度、高循环稳定性
锂离子电池负极材料的研发提供了有效途径。
声明：
“热处理工艺制备碳硅负极材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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