本发明提供了一种大面积高密度四氧化三
钴花瓣状二维曲面纳米结构的制备方法,属于
纳米材料的研制领域。该方法具体包括:在纯氧气氛中,将钴片放置于管式炉中进行热处理,并在氧气氛中通入适量水蒸气,水蒸气可通过加热水而获得,其水的加热温度控制在30～90℃。本发明所制备的密集分布的
四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构,厚度大约为100nm左右,宽度大约为200～500nm左右,长度在1～3μm之间。本发明可以实现大面积制备四氧化三钴,可提高其催化性能;尤其在
锂离子电池领域,由于四氧化三钴样品与
电解液接触面积更大,故在提高锂离子电池性能方面具有潜在的应用前景。另外,本发明所用设备和工艺较为简单、成本低廉。
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“四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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