提供一种可以以低成本制造大型的
碳化硅(SIC)单晶的制造方法。通过将硅(SI)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应,使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属,优选为
锂(LI)。根据该方法,即使是在例如1500℃以下的低温条件下,也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。
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“碳化硅(SIC)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅(SIC)单晶” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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