本发明公开了一种基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法，包括设于绝缘体衬底上的铌酸
锂薄膜、单晶硅层和电极，所述绝缘体衬底包括支撑衬底层和光绝缘层，所述支撑衬底层设于所述光绝缘层的一侧，所述铌酸锂薄膜设于所述光绝缘层的另一侧，所述铌酸锂薄膜的另一侧设有所述单晶硅层，在所述单晶硅层上设有所述电极。相对于现有技术，本发明提出的基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法，由于硅为单晶硅，材料中的缺陷极少，大大提高了光生载流子的收集效率，所制备的器件具有高响应率，低电容，低暗电流和高灵敏度的优点，同时离子束剥离制备的单晶硅层厚度均匀性极好，器件性能稳定，具有极大应用前景。
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“基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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