本发明设计一种基于模拟型和数字型共存的MoS
2基忆阻器及其制备方法，其结构由下至上依次包括衬底层、底电极层、二硫化钼‑聚合物‑
锂盐凝胶层、顶电极层；其特征在于：所述二硫化钼‑聚合物‑锂盐凝胶层是作为阻变层，层状的二硫化钼均匀分散在聚合物中，为锂离子和电子提供存储位点，顶电极厚度为50‑100nm，底端电极厚度为30‑100nm，阻变层的厚度为100‑300nm。本发明具有如下优点：在单一器件中存在模拟和数字忆阻行为共存的现象，并且存在多态存储、阈值电压小的忆阻器。该结构表现出的模拟和数字型共存的忆阻行为，为实现可调控的神经形态学习提供了一个可行的方案，促进类脑型形态计算的发展。
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“基于模拟型和数字型共存的MoS2基忆阻器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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