本发明提供一种高金属含量的纳米
碳化硅材料的制备方法，以及使用该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极、全碳化硅
锂二次电池。该制备方法所用原料包括非晶碳化硅粉、聚硅氧烷、锂化聚乙炔和金属混合粉末，所述金属混合粉末由
金属锂粉、金属
铝粉、金属铍粉、
金属镁粉、金属钛粉混合而成，并同时采用介质阻挡放电等离子体工艺和高能超快激光技术，所得到的米碳化硅材料中金属含量高；由该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极组装而成的全碳化硅锂二次电池的寿命长、容量高、循环性能好，其首次库伦效率达到99.9％，放电平台为4.1～3.5V，比容量达到2450mAh/g，放电能量密度达到1600～2000Wh/kg，功率密度达到1600～2000W/kg，循环周期可以达到20000次。
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“高金属含量的纳米碳化硅材料的制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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