本发明公开了一种基于镁掺杂近化学计量比铌酸
锂单晶薄膜和单晶氧化钽脊形波导的光调制器制作方式，所选用的基底材料是铌酸锂晶体，该晶片的复合结构自下向上包括铌酸锂衬底，二氧化硅下包层，镁掺杂近化学计量比铌酸锂单晶薄膜，单晶氧化钽脊形波导结构，二氧化硅上包层，行波电极。本发明能够大大降低了在光传输过程中的损耗，在铌酸锂薄膜层镁掺杂的浓度达到抗光折变阈值，能够对短波长如红光、绿光或蓝紫色光进行调制，采用二氧化硅作为上下包层，在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸，提高了器件的稳定性，具有制作工艺简便，器件尺寸小，弯曲半径小，稳定性好等优点。
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“采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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