本发明公开了一种高频高性能声表面波器件及其制备方法。所述声表面波器件包括依次叠加的
碳化硅单晶衬底、压电薄膜和叉指电极；压电薄膜为钽酸
锂单晶薄膜或铌酸锂单晶薄膜；碳化硅单晶衬底为4H‑SiC单晶基片、6H‑SiC单晶基片、3C‑SiC单晶基片或3C‑SiC外延单晶基片。碳化硅单晶基片具有较高的声速、优良的热稳定性和化学稳定性和高热导率；钽酸锂或铌酸锂压电单晶薄膜的晶体质量高、一致性好、传播损耗小，采用叉指电极/钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜/碳化硅单晶衬底结构形式的声表面波器件，具有较高的中心频率、高的功率耐受性、小的温度系数，在移动通讯领域有巨大的应用前景。
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来源：北方有色网
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