本发明公开了一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化
铜薄膜的制备方法，该方法选择掺杂
锂的氧化铜作为脉冲激光沉积的靶材，通过选择合适的锂掺杂浓度，即可得到低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜，其中
金属锂的掺杂量为2wt％时，得到的p型氧化铜薄膜的电阻率为7.56Ω·cm、载流子浓度为7.39×1019cm?3。本发明操作简单，适用于低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的工业化制备。
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“低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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