本发明涉及半导体器件领域，公开了一种倒置结构OLED器件与制备方法，包括制备
碳酸锂‑甲酸溶液；制备碳酸锂‑硼酸溶液；处理ITO透明阴极；在ITO透明阴极涂覆碳酸锂‑甲酸溶液和碳酸锂‑硼酸溶液中的一种，并退火得到电子注入层，最后在多源热蒸发系统依次沉积BPhen电子传输层、PBD发光层、CBP空穴传输层、MoO3空穴注入层和Al阳极，得到倒置结构OLED器件。碳酸锂‑甲酸作为电子注入层，基于PBD发光层，OLED器件表现出优异的光电器件性能，有5.24mW/cm2的最大辐射度和2.47％的EQE，碳酸锂‑甲酸层表现出优异的电子性能并有助于电子注入，从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。
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来源：北方有色网
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