本发明公开了一种1T相单层二硫化钨纳米片的制备方法，具体步骤为：将硫代钨酸铵和
锂盐化合物按1 : 2摩尔比混合研磨，研磨后的混合物在惰性气体保护下于800?1300℃保温1?10h，冷却至室温得到插锂的1T相硫化钨块体；将插锂的1T相硫化钨块体置于去离子水中，辅助超声水解剥离5?30min，再将得到的悬浮液置于离心机中，经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到1T相单层WS2纳米片悬浮液；将1T相单层WS2纳米片悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质，最后将沉淀物1T相单层WS2纳米片分散于小分子溶剂中保存，该1T相单层WS2纳米片的厚度小于1nm。本发明工艺操作简单，反应条件温和，所用试剂价格低廉，绿色环保。
声明：
“1T相单层二硫化钨纳米片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1080
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
