本发明提出了一种压电性氧化物单晶基板的制造方法，包括：制备富
锂多晶粉体，将
碳酸锂和金属氧化物混合，进行高温固相反应后，破碎，制备富锂多晶粉体，金属氧化物中的金属元素与压电性氧化物单晶基板中的金属元素相同，富锂多晶粉体中的锂与金属具有第一化学计量比，压电性氧化物单晶基板中的锂与金属具有第二化学计量比；制备还原片，将富锂多晶粉体与还原性粉体按照预置的比例混合，压片制备第一还原片和第二还原片；还原处理，将第一还原片、压电性氧化物单晶基板、第二还原片依次安放在支架上，高温还原处理预置时间后生成表面为伪化学计量组成的压电性氧化物单晶基板。由此，能够维持压电性氧化物单晶基板的极化构造，提高基板的压电性。
声明：
“压电性氧化物单晶基板的制造方法、SAW滤波器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
739
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
