本发明公开了一种以氧化
锌制作装置的方法，其选择一
铝酸
锂基板，并在该铝酸锂基板上依序磊晶成长一
氧化锌缓冲层及一氮化镓成核层，利用该氧化锌与氮化镓具有相似的纤维锌矿结构，可以获得高质量氮化镓，并以此磊晶后的GaN/ZnO/LiAlO2结构成长一多重量子井及一第一金属电极层，再蚀刻去除该铝酸锂基板及该氧化锌缓冲层，并在该氮化镓成核层之下方成长一第二金属电极层。藉此，利用单晶薄膜状的氧化锌缓冲层不仅可使氮化镓成核层在铝酸锂基板上成功成长，且可降低氮化镓的缺陷密度，进而达到近似晶格匹配并获得良好的晶体接口质量，以提升发光效率及后续完成的组件性能。
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来源：北方有色网
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