本发明提供了一种n型晶体硅太阳电池及其制备方法。所述n型晶体硅太阳电池的背场是通过n型晶体硅和n型晶体硅背面的低功函材料来实现的；低功函材料为低功函金属或低功函合金；低功函金属可以为镁、锗、
锂、钕或钙等，低功函合金可以为镁钕合金、镁锗合金、镁锂合金、锗锂合金或钙镁锗锂合金等。将低功函金属或低功函合金制作在n型晶体硅的背面，可实现能带弯曲，形成“n‑n+”高低结，进而可驱赶空穴，增强电子的传输功能，使电池获得高的开路电压及短路电流，提高电池的效率。而且，制备过程简单，成本低，无需高温，无需后退火处理，还不会给硅片带来损伤，也不会对环境造成污染。
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来源：北方有色网
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