本实用新型涉及一种用于声表面波（SAW）器件的压电晶片及其制备方法。本实用新型提供了一种压电晶片，其表层为具有近化学计量比结构的富
锂层+还原层、厚度为几微米至几十微米，第二层为热释电效应弱的还原层，第三层为晶片基底层。为了实现上述多层结构，本实用新型提供了一种通过气相平衡运输方式（VTE）对经过还原处理的铌酸锂、钽酸锂晶片（还原片）进行富锂化的方法，使锂离子占据晶片表层中的锂空位。同时本实用新型还提供了一种通过优化丝网印刷
碳酸锂粉工艺，对经过VTE处理的表层富锂化的铌酸锂、钽酸锂晶片进行还原处理的方法。最终通过上述方法实现了具有表层晶格缺陷少、热释电效应弱的铌酸锂、钽酸锂多层结构的压电晶片。
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来源：北方有色网
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