本发明提供的忆阻器的制备方法及忆阻器，属于电子器件技术领域，以惰性金属金和活泼金属
锂作为忆阻器件的电极层，用以锂镧锆钽氧为代表的锂基或钠基固态电解质作为阻变材料，以形成金(铂金、钨)/锂基或钠基(锂镧锆钽氧、锂钽磷氧)固态电解质/锂的三明治结构，本发明使用了锂基(锂镧锆钽氧、锂钽磷氧)或钠基固态电解质作为阻变材料，充分利用了锂基或钠基固态电解质的各种电学性能，制备的忆阻器具有不同于其他忆阻器的特性，具备较高的器件开关比。本发明提供的忆阻器的制备方法，工艺简单，成本低，具有良好的应用前景，可用于
芯片或者微型存储器件。
声明：
“忆阻器的制备方法、忆阻器及存储器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1149
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
