本发明涉及一种用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(II)前质体，该前质体以氨基嘧啶及其衍生物为配体，依以下方法制备：(1)将氨基密啶及其衍生物溶解在反应溶剂中，-78～0℃搅拌条件下加入烷基
锂溶液，氨基嘧啶或其衍生物与烷基锂摩尔比1.0∶1.0～1.2，恢复室温继续搅拌至固体产生，过滤得到锂盐；(2)将步骤(1)得到的锂盐与甲苯混合，-78～0℃条件下以锂盐与金属锗摩尔比2.0∶1.0～1.2滴加到二氯化锗的甲苯溶液中，升温至室温；(3)将步骤(2)得到的混合物过滤浓缩，滤渣用二氯甲烷提取，收集滤液，-50～0℃低温结晶，得到所述的氨基嘧啶Ge(II)前质体。本发明合成方法简单，制备的前质体热稳定性高，挥发性好，成膜性能优良，是制备相变存储材料潜在的重要前质体。
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“用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(Ⅱ)前质体及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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