本发明涉及掺杂
锂的金刚石：掺杂了锂和氮的低 电阻率的n－型半导体金刚石，以及制备这种金刚石的方法。 低电阻率的n－型半导体金刚石一共包含 1017cm－ 3或者更多的锂原子和氮原子，其中锂原子被掺 杂到碳原子晶格间隙位置，氮原子被掺杂到碳原子的置换位置 上，锂和氮保持互相相邻的排列。为了得到低电阻率的n－型 半导体金刚石，在金刚石气相合成方法中，利用真空紫外光通 过光激发光离解源材料和用准分子激光照射锂源材料以散射 并提供锂原子，使得金刚石得以被制造出来。
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“低电阻率n-型半导体金刚石及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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