本发明涉及一种含N脒基硅化合物，依以下方法制备：(1)将碳二亚胺或其衍生物溶解在反应溶剂中，在-78～0℃搅拌条件下加入烷/胺基
锂溶液，氨基吡啶或其衍生物与烷/胺基锂的摩尔比为1:1～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物；(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体溶于有机溶剂，得到锂盐溶液；(3)在-78～0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1～4:1～1.1，向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液，升至一定温度反应3～10小时；(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到含脒配体硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。
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来源：北方有色网
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