本发明涉 及作为Ⅲ-Ⅴ族氮化物 半导体薄膜淀积用晶格 匹配衬底的改进的方铁 矿结构氧化物。它包括
锂 铝氧化物(LiAlO2)、钠铝 氧化物(NaAlO2)、锂镓氧 化物(GaAlO2)、钠镓氧化 物(NaGaO2)、锂锗氧化物 (Li2GeO3)、钠锗氧化物 (Na2GeO3)、钠硅氧化物(Na2SiO3)、锂磷氧化物(Li3PO4)、锂砷 氧化物(Li3AsO4)、锂矾氧化物(Li3VO4)、锂
锰锗氧化物 (Li2MgGeO4)、锂
锌锗氧化物(Li2ZnGeO4)、锂镉锗氧化物 (Li2CdGeO4)、锂锰硅氧化物(Li2MgSiO4)、锂锌硅氧化物 (Li2ZnSiO4)、锂镉硅氧化物(Li2CdSiO4)、钠锰锗氧化物 (Ｎａ２ＭｇＧｅＯ４)、钠锌锗氧化物(Ｎａ２ＺｎＧｅＯ４)和钠锌硅氧化物(Ｎａ２ＺｎＳｉＯ４)。较佳的晶格匹配衬底还包括两个或两个以上上面所列改进的方铁矿结构氧化物组成的混晶。而且，较佳的晶格匹配衬底包括所有用下述元素Ｂｅ、Ｂ、Ｎ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｉｎ和Ｓｂ替代的改进方铁矿结构氧化物及其它们的混晶。除了只能部分替代氧的Ｎ例外，其它元素都能够部分替代上述方铁矿结构氧化物的阳离子。
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“作为半导体外延薄膜生长用衬底的方铁矿结构氧化物” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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