本发明公开了一种采用(Sb3/4Li1/4)对PZT进行B位复合取代改性，制备高性能压电陶瓷的方法，步骤为：按Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1-xO3化学计量比配料，其中x＝1～3mol％；经过800℃～900℃合成、成型、排塑、于1200℃烧结，再经烧银，并于120℃硅油浴中，加以3kV/mm的直流电压极化15min。本发明通过调整(Sb3/4Li1/4)的取代量，显著提高了压电性能。当复合取代量x＝2mol％，合成温度为850℃时，获得了最佳综合压电性能，压电陶瓷的介电常数εT33/ε0，压电系数d33，机电耦合系数kp值和损耗值分别达到了，2052，500pC/N，81％，1.5％。本发明可应用于制备超声波传感器，压电陶瓷驱动器等电子器件。
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来源：北方有色网
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