本发明提供一种用于
锂电保护的开关器件及其制作方法，包括：P+型衬底及P‑型外延层；第一绝缘沟槽，形成于体接触区域；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，其打开有两个源区接触窗口及一体区接触窗口，所述体区接触窗口内的所述绝缘介质被去除形成第二沟槽，且第二沟槽侧壁保留有绝缘介质；以及填充于所述源区接触窗口、体区接触窗口及所述第二沟槽内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件，大大降低漂移区区域电阻，同时保证耐压不变；将其中一个源区电极引到
芯片背面，可有效降低器件内阻；体区电极侧壁的绝缘介质可有效降低漏电流，并提高耐压。
声明：
“用于锂电保护的开关器件及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
809
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
