本发明涉及一种铌酸
锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制。具体地，涉及一种电子器件，包括第一表面声波(SAW)谐振器和第二SAW谐振器，每个SAW谐振器具有交错的叉指换能器(IDT)电极，第一SAW谐振器和第二SAW谐振器形成在同一压电基板上，第一SAW谐振器具有IDT电极，该IDT电极具有与第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距；介电材料层，设置在第一SAW谐振器和第二SAW谐振器的IDT电极上；高速层，设置在被配置于第一SAW谐振器的IDT电极上的介电材料层内，第二SAW谐振器不具有在被配置于IDT电极上的所述介电材料层内设置的高速层。
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“铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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