本发明用离子注入和退火制备铌酸
锂晶体波导 的方法，至少应包含离子注入和电子束退火等步骤。采用能量1MeV～6MeV的C+，Cu+等离子注入，注入剂量在1×1013离子/平方厘米到5×1015离子/平方厘米范围内，在注入区内造成折射率的改变，然后利用聚焦电子束或者激光束扫描，使扫描区的折射率增高，形成埋层或者沟道形式的光波导。光波导的导波模式可以由工艺参数控制。该方法的线宽可以达到纳米量级。可以制成基于条形波导结构的光器件和折射率光栅。
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“用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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