本发明涉及一种
磷酸铁锂材料表面包覆
石墨烯的制备方法，以磷酸铁锂粉体作为生长基底并通入碳源，采用等离子体增强化学气相沉积法在生长基底表面生长石墨烯；所述等离子体增强化学气相沉积法的参数包括：生长基底的反应温度为300～500℃；碳源的流量1～10 sccm；真空度低于40 pa；电源功率100～300 W；生长时间5～20分钟。
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“磷酸铁锂材料表面包覆石墨烯的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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