本发明公开了用于
锂电池充电系统的VDMOS
芯片包括衬底、第一外延层、自第一外延层延伸至衬底的沟槽，自第一外延层向沟槽内交错形成第二外延层、第三外延层，第一外延层上位于沟槽两侧的氧化层、位于氧化层之间的开口及位于开口内的
多晶硅层，形成在沟槽两侧的第一外延层内与部分氧化层连接的第一注入区、第一外延层内位于第一注入区上的第二注入区、自衬底延伸至沟槽内与第一外延层和第三外延层连接的第三注入区，多晶硅层上与部分第二注入区连接的介质层、第一金属层、第二金属层及第三金属层。本发明还提供用于锂电池充电系统的VDMOS芯片制备方法，有效确保电池和充电系统免受过温损毁，提升过温反馈速度和锂电池充电系统可靠性。
声明：
“用于锂电池充电系统的VDMOS芯片及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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