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用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法

833   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 22:15:33
本发明公开一种用于离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法,以通孔AAO为模板,采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决基材料因体积膨胀而导致循环稳定性差的问题,为该新型复合材料实用化奠定技术基础。
声明:
“用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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