本发明公开了一种薄膜铌酸
锂可调高线性电光调制器集成
芯片，自下而上包括衬底层、掩埋氧化层、电光调制器件层和上包层；电光调制器件层由左至右依次包括输入光波导、输入分光耦合器、超线性调制区、马赫增德尔相位调制区、输出合路耦合器和输出光波导。超线性调制区由一个或多个顺次连接的薄膜铌酸锂脊形光波导可调谐振腔构成，可位于一条或两条调制臂上，在谐振腔内的光波导两侧放置有可调节谐振腔工作状态的第二信号电极和第三地电极。通过调节谐振腔的尺寸及加载在谐振腔波导两侧电极上的信号大小调整谐振腔的工作点，消除器件整体的三阶非线性，从而实现具有高线性度的电光调制器集成芯片。
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“薄膜铌酸锂可调高线性电光调制器集成芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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