本发明专利公开了一种具有室温铁磁性的铌酸
锂薄膜及其制备方法，包括基底、二氧化硅下缓冲层、下层金电极、二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、钛扩散铌酸锂条波导、二氧化硅上缓冲层和上层金电极。本发明专利生产难度低、成品率高，并且显著降低了偏振控制器的器形，使多功能光电子器件的集成更容易实现，能够使器件获得更多的非线性效应，制造出的偏振控制器机械性能稳定、耐高温、抗腐蚀，具有较大的折射率和介电常数,在加载电压的同时，其压电效应较小，响应速度可以达到ns级。
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“具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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