本发明属于铁电薄膜制备及其应用领域。铌酸
锂靶材在高能脉冲激光的作用下形成等离子态余晖，之后沉积到衬底上形成薄膜，该方法制备的薄膜厚度均匀、致密性好，但容易出现复杂多晶的问题，限制了其在纳米铁电畴、片上集成光学等领域的应用。本发明公布一种基于脉冲激光沉积法结合两步控制氧气压制备良好外延取向铌酸锂薄膜的技术方法。薄膜沉积过程中，首先控制较高氧气压抑制其非特征晶向生长，然后控制较低氧气压促进其特征晶向择优生长。该方法解决了薄膜出现复杂多晶的问题，操作简捷、易于制备纳米级高质量外延取向铌酸锂薄膜。所制备薄膜可应用于制备波导、微腔、电光调制器等功能器件。
声明：
“外延取向铌酸锂薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
932
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
