本发明的目的在于提供一种不需要减压工序、多达数次的还原处理，并且通过新型的还原处理制造均质性高的体积电阻率为1×1010Ω·cm以上并小于1×1012Ω·cm的钽酸
锂单晶基板的方法。本发明的特征在于，将体积电阻率为1×1012Ω·cm以上且为单畴结构的钽酸锂单晶基板埋入
碳酸锂粉末中，在常压下、惰性气体和还原性气体的混合气体氛围中，以350℃以上且居里温度以下的温度进行热处理。另外，在这种情况下，优选混合气体中的还原性气体的浓度为20.0％以下。
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来源：北方有色网
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