本发明属于薄膜制备技术领域，具体涉及一种基于磁控溅射的在铌酸
锂基片上的钛酸锶钡成膜方法。包括如下步骤：将待溅射铌酸锂基片移入真空室室内并放置于样品座上；将真空室内的靶材的角度调整到预设角度，调节靶材到基板的距离到预设距离；对真空室进行抽真空，到达本底真空；通入氧气和氩气，在基片上溅射二氧化硅；在氩气环境下，打开直流电源在基片上溅射金属钛；在氩气环境下，打开直流电源在基片上溅射金属铂；将基片加热至400摄氏度后，在氧气和氩气条件下，打开射频电源在基片上溅射钛酸锶钡；完成步骤70后，加热基片至650摄氏度，在氧气环境下退火。本发明不仅简化了步骤并且节约了成本；且钛酸锶钡薄膜结晶效果良好。
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“基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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