一种以
锂氮双受主共掺方式制备p型氧化
锌基薄膜的方法，本发明属于半导体薄膜制备领域，为克服现有技术中p型ZnO基薄膜制备方法的可重复性低，制备出的p型ZnO基薄膜有效性差和掺杂元素掺入量不能够灵活调控等技术缺陷。该方法包括：以具有单晶结构的ZnO薄膜为平台，用离化的N、O等离子体作为N掺杂源和O源，高纯金属Li作为Li掺杂源，高纯金属Zn作为Zn源，高纯II族金属作为相应所需元素的生长源，制备锂氮双受主共掺的p型ZnO基薄膜。本发明与现有制备p型ZnO基薄膜的方法相比，具有如下优点：1、可重复性高。2、掺入量可调。3、得到的p型ZnO基薄膜可用于光电器件。
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“以锂氮双受主共掺方式制备p型氧化锌基薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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