本发明公开了一种预
锂化硅基薄膜
负极材料及其制备方法，包括沉积在集流体上的硅基薄膜，所述硅基薄膜和集流体之间沉积有里层碳薄膜，
金属锂薄膜沉积在所述硅基薄膜上，所述金属锂薄膜上沉积有外层碳薄膜；本发明制得的硅基薄膜负极材料的体积膨胀效应低、循环性能优异、安全性能优异，并且本发明通过真空磁控溅射技术直接在集流体上一步法制备硅基负极薄膜，省去了传统电极制备过程中制浆，涂覆，辊压，烘干等步骤，有效简化了工艺流程，降低了制造成本和品控风险。
声明：
“预锂化硅基薄膜负极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1176
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
