本发明提供了一种基于
锂镍氧化物材料的选通管及其制作方法，该选通管包括底层电极；中间层材料，位于所属底电极一侧表面；顶层电极，位于所述选通管材料层远离所述底层电极一侧表面。其中，所述底层电极的材料为泡沫镍(Ni form)、泡沫
铜、金属镍片、金属铜片、金属镍薄膜和金属铜薄膜的一种；所述中间层材料为锂镍氧化物LixNiO2‑δ(0＜x≤1)；所述顶层电极为金属铂、金属金的一种。本发明的一种基于锂镍氧化物材料的选通管，具有Forming‑free的特性，不需要Forming过程就可以直接表现出双向阈值转变的性能，且有稳定的阈值电压和保持电压，将其作为整流器件,可有效抑制RRAM存储器阵列中的串扰电流。本发明选通管具有结构简单、工艺简单、价格低廉等的特点。
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“基于锂镍氧化物材料的选通管及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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