本发明公开了一种具有稳定结构的高首效硅负极、制备方法及
锂离子电池，涉及
锂电池负极材料技术领域，所述硅负极由内至外依次包括内层未掺杂硅核、梯度双掺杂层以及共嵌入缓冲层，所述内层未掺杂硅核的厚度为0.1nm~3nm，所述梯度双掺杂层由梯度原子掺杂层和梯度氧化物掺杂层组成，所述梯度双掺杂层的厚度为70nm~95nm，所述共嵌入缓冲层由刚性羧基化预锂层和柔性介孔碳组成，所述共嵌入缓冲层的厚度为3nm~7nm。本发明中梯度氧化物掺杂层减缓了硅负极由内向外的应力集中，并协同利用酯化、羧基化等分子级别的反应所构建的共嵌入缓冲层，有效提升了硅负极的结构稳定性。
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来源：北方有色网
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