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低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法

1123   编辑：管理员   来源：北方有色网  
2023-03-18 21:47:12
本发明公开了一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法，首先采用LNOI作为初始材料；然后在LN薄膜层的表面镀一层100nm厚的SiO2膜，并对其进行光刻，制作出条状结构的2～3μm宽的SiO2掩模；接着把光刻后的样品在520～550℃下LRVTE处理10～20个小时，得到LRVTE区域，将所述LRVTE区域的单晶LN薄膜制作成光波导；最后去除SiO2掩模，并对样品的端面进行抛光处理。本发明采用LRVTE技术制作的LN薄膜光波导的芯层晶格结构未受损伤，各项光学指标完好地保留了铌酸锂体材料的固有的典型数值，可以实现较低的传输损耗低。
声明：
“低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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