本发明涉及一种波导及其制作方法，属于光器件领域，具体涉及一种高偏振消光比铌酸
锂波导及其制作方法。本发明在铌酸锂光波导
芯片进行质子交换前对其下表面进行涂覆保护，使得铌酸锂基片下表面无质子交换发生，这样便可以辅助开槽、制作光栅以及涂覆吸光层等方法，降低TM漏模(或TE漏模)耦合进入输出光纤，提高铌酸锂波导的TE/TM偏振消光比。
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“高偏振消光比铌酸锂波导及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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