本发明涉及一种硅和铌酸
锂混合集成光调制器，包括绝缘体上硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构、键合介质层、铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极，其中绝缘体上硅基光波导结构与光学分束结构的输入端连接，光学分束结构的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构与铌酸锂波导连接；所述信号金属电极设置在铌酸锂波导结构相对的一侧；接地金属电极设置在铌酸锂波导结构相背的一侧；所述混合集成光调制器是一种双层结构：硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构设置在键合介质层内，铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极设置在键合介质层上方。
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“硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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