一种大尺寸、高质量
铝酸
锂晶片的制备方法,其特征是将提拉法(Cz)和气相传输平衡法结合起来制备大尺寸高质量的铝酸锂单晶片。本发明制备方法主要可分为两个步骤:(1)用提拉法快速生长出大尺寸(≥2英寸)铝酸锂晶体;(2)从所得的晶体上切取所需要的晶片,采用气相传输平衡法对晶片进行处理,可大幅度提高晶片质量,得到高质量的晶片。本发明方法简单,成本低,周期短,可用于解决GaN基LEDs和LDs器件制作中的关键问题,具有广阔的应用前景和巨大的经济和社会效益。
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“大尺寸高质量铝酸锂晶片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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