本发明涉及一种g‑C3N4包覆且含有氧空位的富
锂锰基层状材料、制备方法及其应用，属于锂离子电池技术领域。所述材料以富锂锰基层状材料基体，层状结构表面含有氧空位，且最外层包覆有g‑C3N4；g‑C3N4包覆层的厚度为1nm～10nm，氧空位的量与g‑C3N4的量成正比。所述方法通过将富碳氮的原料与富锂锰基层状材料混合后，在惰性气体氛围下煅烧，原位生成g‑C3N4导电子层，同时副产物反应生成具有氧空位的导离子层，双导保护层的预构使其倍率性能以及循环稳定性共同提高。
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“g-C3N4包覆且含有氧空位的富锂锰基层状材料、制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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