本发明公开了一种基于铬掩膜的铌酸
锂薄膜亚微米线宽脊型光波导制备方法，包括以下步骤：获取待加工的铌酸锂薄膜样品；使用电子束蒸发镀膜系统在所述铌酸锂薄膜样品表面沉积
铝膜，在铝膜表面旋涂光刻胶，用电子束曝光光刻机将掩膜图案刻在样品上；将样品放置于显影液中进行显影，用电子束蒸发镀膜系统在样品表面沉积铬膜；将样品放入剥离液中，去除光刻胶，留下铬掩膜图形；利用电感耦合等离子体对样品进行刻蚀，得到铌酸锂薄膜亚微米线宽脊型光波导。该方法可以制备获得亚微米级线宽的脊型光波导，且光波导的侧壁垂直度高，基于此工艺加工的铌酸锂光波导器件体积小，易集成，具有良好的光约束条件。
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“基于铬掩膜的铌酸锂薄膜亚微米线宽脊型光波导制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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