本发明提出了一种硅‑铌酸
锂异质集成扫描
芯片，包括铌酸锂衬底、二氧化硅包层和基于硅波导的芯层；二氧化硅包层附在铌酸锂衬底上；芯层包括光分束单元、弯曲波导、热光移相器和出射波导阵列；光分束单元、弯曲波导和出射波导阵列位于上述二氧化硅包层内；热光移相器置于二氧化硅包层上；热光移相器位于所述弯曲波导上；光分束单元包括多个基于硅波导的分束器。本发明将硅波导基片上与铌酸锂材料的异质集成，基于光学相控阵技术，采用热光调制从而改变波导折射率，进而使光束相位变化，出射方向发生偏转，从而获取1520纳米～1620纳米光通信波段的高速低损耗光调制芯片结构。本发明还提出了该芯片的制备方法和应用。
声明：
“硅-铌酸锂异质集成扫描芯片及其制备方法、应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1146
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
