本发明属于集成光学领域，涉及一种铌酸
锂强度调制器，特别涉及一种高开关消光比的M‑Z型铌酸锂强度调制器，所述调制器包括铌酸锂基底以及形成于其表面的缓冲层、行波电极和光波导，所述行波电极包括中心电极和地电极，所述光波导包括输入端直波导、输出端直波导、两个3dB耦合器和两个波导干涉臂。输入端直波导与第一个3dB耦合器输入端连接，输出端直波导与第二个3dB耦合器输出端连接，两个波导干涉臂的两端分别与第一个3dB耦合器的输出端和第二个3dB耦合器的输入端连接。两个波导干涉臂设计为三段式非对称结构，由一个长方形和两个相同梯形组成。本发明通过对波导干涉臂特殊结构的设计，以提高M‑Z型铌酸锂强度调制器的开关消光比，效果显著。
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“高开关消光比的M-Z型铌酸锂强度调制器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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