本发明公开了一种具有透明导电
镍酸
锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法。在MGO基板一面外延沉积LNO镍酸锂透明导电层LNO薄膜,再在LNO薄膜上外延制备SBN薄膜。其制备步骤如下:首先以
碳酸锂,氧化镍,氧化铌,碳酸锶,碳酸钡为原料,用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和铌酸锶钡靶材;其次将(001)MGO基板清洗后放入反应室,反应室抽真空,并加热基板,以氧气为保护气体,引入反应室中,脉冲激光溅射靶材,在基板上先后外延沉积镍酸锂导电电极和铌酸锶钡薄膜。本发明制备方法简单,制得的铌酸锶钡薄膜为(001)方向外延生长,薄膜外延性好,质量高,电光系数大(R33可达180～230PM/V),具有良好的应用前景。
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“有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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