本发明公开了一种Y波导集成光学器件铌酸
锂芯片的制备方法，主要包括在衬底片上制备SiO2波导掩模、质子交换、退火、电极剥离、电极电镀、芯片切割和端面磨抛步骤。本发明采用纯苯甲酸作为质子交换源，质子交换温度150℃～170℃，时间170－210分钟。为防止波形倾斜，在质子交换后，先腐蚀掉SiO2波导掩模，对晶片进行清洗，在铌酸锂晶片上重新生长一层SiO2隔离层，再进行退火。本发明采用纯苯甲酸作为质子源，提高了工艺过程的一致性，降低了对实验室的环境污染；通过腐蚀掉SiO2波导掩模，重新生长波导隔离层，确保器件波形不产生倾斜畸变。
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“Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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