一种铟镱铥三掺杂铌酸
锂晶体及其制备方法，它涉及一种掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的镱铥掺杂的铌酸锂晶体抗光损伤能力较低的问题。本发明一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体由Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3制成。制备方法：一、混合；二、采用提拉法生长晶体；三、极化；即得到铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。本发明制备的铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体光洋度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，在保证了镱铥掺杂的铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力显著提高；本发明铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。本发明可用于制备铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。
声明：
“铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1175
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
