本发明公开了一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸
锂电光调制器，属于光通信器件技术领域。器件从下往上依次包括：衬底层、埋氧层、器件层、波导包覆层，所述器件层依次包括铌酸锂光波导、包层介质、电极组，所述包层介质的介电常数高于波导包覆层的介电常数，且所述包层介质的折射率低于铌酸锂光波导的折射率。本发明的调制器，通过在铌酸锂器件层和包覆层之间引入包层介质，因其具有较高的射频介电常数，且在通讯波段具有很高的光学透明度，使得在不引入额外光学损耗的前提下，增加了铌酸锂波导中的射频信号的电场分压，从而提高了电光调制效率。同时具有损耗低、结构紧凑等优点。
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“基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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